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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,结合了MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)和普通双极型晶体管的优点。
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IGBT的特点是在低压下具有MOSFET的高输入阻抗和开关速度,在高压下具有普通双极型晶体管的低导通压降。
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IGBT适用于高电压和高电流的开关和放大应用,如电力电子设备、驱动器、变流器、逆变器等。
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IGBT的结构包括N沟道MOSFET和双极PNP晶体管,通过加在栅极的电压控制电流的流动。
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IGBT的工作原理是控制栅极电压来控制电流的通断,可实现高效率、高可靠性的功率转换。
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IGBT具有较高的开关频率和较低的损耗,但也因为结构的复杂性有一定的失温问题。