什么是热电子效应

热电子效应是因为随着器件尺寸的缩小，电源电压无法与器件尺寸按相同比例缩小，导致MOS器件内部电场增强。当MOS器件沟道中的电场强度超过100千伏每厘米时，电子在两次散射间获得的能量可能超过它在散射中失去的能量，从而使部分电子的能量明显高于热平衡时的平均动能，形成热电子。这些高能量的热电子将严重影响MOS器件和电路的可靠性。热电子效应主要表现在三个方面，首先是热电子向栅氧化层中发射，其次是热电子效应引起衬底电流，最后是热电子效应引起栅电流。